AFT27S012NT1

AFT27S012NT1
Mfr. #:
AFT27S012NT1
निर्माता:
NXP Semiconductors
विवरण:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
AFT27S012NT1 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
AFT27S012NT1 DatasheetAFT27S012NT1 Datasheet (P4-P6)AFT27S012NT1 Datasheet (P7-P9)AFT27S012NT1 Datasheet (P10)
ECAD Model:
थप जानकारी:
AFT27S012NT1 थप जानकारी AFT27S012NT1 Product Details
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
NXP
उत्पादन कोटि:
आरएफ MOSFET ट्रान्जिस्टर
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
प्रविधि:
सि
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
154 mA
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
- 500 mV, 65 V
पाउनु:
20.9 dB
आउटपुट पावर:
1.26 W
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
PLD-1.5W
प्याकेजिङ:
रील
सञ्चालन आवृत्ति:
728 MH to 2700 MHz
प्रकार:
आरएफ पावर MOSFET
ब्रान्ड:
NXP अर्धचालक
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
आरएफ MOSFET ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
1000
उपश्रेणी:
MOSFETs
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
- 6 V, 10 V
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
0.8 V
भाग # उपनाम:
935347325515
एकाइ वजन:
0.009877 oz
Tags
AFT27S01, AFT27, AFT2, AFT
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Packaging Boxes
***ark
Airfast Rf Power Ldmos Transistor, 728-2700 Mhz, 1.26 W Avg., 28 V
***W
RF Power Transistor, 0.728 to 2.7 GHz, 13 W Typ. P1dB, Typ. Gain in dB is 22.8 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS
***et
RF Power LDMOS MOSFET N-Cannel 65V 2-Pin PLD T/R
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
AFT27S012NT1
DISTI # AFT27S012NT1-ND
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$10.3971
AFT27S012NT1
DISTI # AFT27S012NT1
Avnet, Inc.RF Power LDMOS MOSFET N-Cannel 65V 2-Pin PLD T/R - Tape and Reel (Alt: AFT27S012NT1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 10000:$9.8900
  • 6000:$10.0900
  • 4000:$10.4900
  • 2000:$10.8900
  • 1000:$11.2900
AFT27S012NT1
DISTI # 771-AFT27S012NT1
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V0
  • 1000:$10.4000
छवि भाग # विवरण
AFT27S010NT1

Mfr.#: AFT27S010NT1

OMO.#: OMO-AFT27S010NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
AFT27S012NT1

Mfr.#: AFT27S012NT1

OMO.#: OMO-AFT27S012NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V
AFT27S006NT1

Mfr.#: AFT27S006NT1

OMO.#: OMO-AFT27S006NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
AFT27S010NT1

Mfr.#: AFT27S010NT1

OMO.#: OMO-AFT27S010NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
AFT27S006

Mfr.#: AFT27S006

OMO.#: OMO-AFT27S006-1190

नयाँ र मौलिक
AFT27S006N

Mfr.#: AFT27S006N

OMO.#: OMO-AFT27S006N-1190

नयाँ र मौलिक
AFT27S006NT1

Mfr.#: AFT27S006NT1

OMO.#: OMO-AFT27S006NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
AFT27S006NT1  AS06

Mfr.#: AFT27S006NT1 AS06

OMO.#: OMO-AFT27S006NT1-AS06-1190

नयाँ र मौलिक
AFT27S010N

Mfr.#: AFT27S010N

OMO.#: OMO-AFT27S010N-1190

नयाँ र मौलिक
AFT27S012NT1

Mfr.#: AFT27S012NT1

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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
2000
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मात्रा
एकाइ मूल्य
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1
US$ १६.४१
US$ १६.४१
10
US$ १५.०९
US$ १५०.९०
25
US$ १४.४७
US$ ३६१.७५
100
US$ १२.७५
US$ १ २७५.००
250
US$ १२.१२
US$ ३ ०३०.००
500
US$ ११.३४
US$ ५ ६७०.००
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