OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
नमस्कार, साइन इन गर्नुहोस्मेरो खाता
0 कार्ट

CGH60120D-GP4

CGH60120D-GP4
Mfr. #:
CGH60120D-GP4
निर्माता:
N/A
विवरण:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
CGH60120D-GP4 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
CGH60120D-GP4 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
कोर्भो
उत्पादन कोटि:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
RoHS:
Y
प्रविधि:
GaN SiC
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
32 V
Vgs - गेट-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
100 V
Pd - शक्ति अपव्यय:
45 W
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेजिङ:
ट्रे
कन्फिगरेसन:
एकल
उचाइ:
4.064 mm
लम्बाइ:
9.652 mm
चौडाइ:
5.842 mm
ब्रान्ड:
कोर्भो
गेट-स्रोत कटअफ भोल्टेज:
- 2.9 V
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
50
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
भाग # उपनाम:
1092444
Tags
CGH60, CGH6, CGH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***fspeed SCT
Aerospace & Defense, 28 V, 6 GHz, 120W, Die, RoHS
***fspeed
120-W; 6.0-GHz; GaN HEMT Die
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V DIE
***ical
Trans FET 84V 12A GaN HEMT
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
CGH60120D-GP4
DISTI # CGH60120D-GP4-ND		WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		30In Stock
  • 10:$136.2210
CGH60120D-GP4
DISTI # 941-CGH60120D		Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
RoHS: Compliant		30
  • 10:$152.8400
CGH60120D-GP4
DISTI # CGH60120D-GP4		WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 50:$142.4100
छवि भाग # विवरण
CGH60120D-GP4

Mfr.#: CGH60120D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60120D-GP4

 RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
CGH60120D-GP4

Mfr.#: CGH60120D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60120D-GP4-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 28V DIE
CGH60120D

Mfr.#: CGH60120D

OMO.#: OMO-CGH60120D-318

 RF JFET Transistors DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB
उपलब्धता
स्टक:
30
अर्डर मा:
2013
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
CGH60120D-GP4 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
10
US$ १५२.८४
US$ १ ५२८.४०
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
बाट सुरु गर्नुहोस्
Top