SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4226DY-T1-E3
निर्माता:
Vishay
विवरण:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SI4226DY-T1-E3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
Vishay Siliconix
उत्पादन कोटि
FETs - arrays
शृङ्खला
TrenchFETR
प्याकेजिङ
टेप र रिल (TR)
अंश-उपनामहरू
SI4226DY-E3
एकाइ - वजन
0.006596 oz
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
प्याकेज-केस
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
प्रविधि
सि
सञ्चालन - तापक्रम
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिङ-प्रकार
सतह माउन्ट
च्यानलहरूको संख्या
2 Channel
आपूर्तिकर्ता-उपकरण-प्याकेज
8-SO
कन्फिगरेसन
दोहोरो
FET-प्रकार
2 N-Channel (Dual)
पावर-अधिकतम
3.2W
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
2 N-Channel
ड्रेन-टू-स्रोत-भोल्टेज-Vdss
25V
इनपुट-Capacitance-Ciss-Vds
1255pF @ 15V
FET - सुविधा
मानक
वर्तमान-निरन्तर-नाली-Id-25°C
8A
Rds-on-max-Id-Vgs
19.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs-th-max-Id
2V @ 250μA
गेट-चार्ज-Qg-Vgs
36nC @ 10V
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
2 W
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
पतन-समय
8 ns
उदय-समय
10 ns
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
12 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
7.5 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
25 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
19.5 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
N- च्यानल
सामान्य-टर्न-अफ-ढिलाइ-समय
30 ns
सामान्य-टर्न-अन-डिले-समय
14 ns
च्यानल-मोड
वृद्धि
Tags
SI4226D, SI4226, SI422, SI42, SI4
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भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SI4226DY-T1-E3
DISTI # SI4226DY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4226DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4226DY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant
    0
      छवि भाग # विवरण
      SI4226DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4226DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4226DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4228DY-T1-GE3
      SI4226DY-T1-E3

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      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4228DY-T1-GE3
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      OMO.#: OMO-SI4226DY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V
      SI4226DY-T1-GE3

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      RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V
      SI4226DY

      Mfr.#: SI4226DY

      OMO.#: OMO-SI4226DY-1190

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