CGH09120F

CGH09120F
Mfr. #:
CGH09120F
निर्माता:
N/A
विवरण:
RF JFET Transistors GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
CGH09120F डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
CGH09120F थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
क्री, इंक।
उत्पादन कोटि:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
RoHS:
Y
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
HEMT
प्रविधि:
GaN
पाउनु:
21 dB
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
120 V
Vgs - गेट-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
- 10 V, 2 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
28 A
आउटपुट पावर:
20 W
अधिकतम ड्रेन गेट भोल्टेज:
28 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
56 W
माउन्टिङ शैली:
स्क्रू माउन्ट
प्याकेजिङ:
ट्रे
आवेदन:
टेलिकम
कन्फिगरेसन:
एकल
सञ्चालन आवृत्ति:
910 MHz
सञ्चालन तापमान दायरा:
- 40 C to + 150 C
ब्रान्ड:
वुल्फस्पीड / क्री
NF - शोर चित्र:
3 dB
उत्पादन प्रकार:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
50
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
- 3 V
Tags
CGH0, CGH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440095
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor
Wolfspeed / Cree CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This GaN HEMT allows for a high degree of DPD Correction to be applied making it ideal for MC-GSM, WCDMA and LTE amplifier applications. The transistor is housed in a ceramic/metal flange package.Learn More
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
CGH09120F
DISTI # CGH09120F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440095
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
136In Stock
  • 1:$197.0000
CGH09120F
DISTI # 941-CGH09120F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
RoHS: Compliant
26
  • 1:$197.0000
छवि भाग # विवरण
CGH09120F

Mfr.#: CGH09120F

OMO.#: OMO-CGH09120F

RF JFET Transistors GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
CGH09120F 120W

Mfr.#: CGH09120F 120W

OMO.#: OMO-CGH09120F-120W-1190

नयाँ र मौलिक
CGH09120FE

Mfr.#: CGH09120FE

OMO.#: OMO-CGH09120FE-1190

नयाँ र मौलिक
CGH09120F

Mfr.#: CGH09120F

OMO.#: OMO-CGH09120F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440095
उपलब्धता
स्टक:
26
अर्डर मा:
2009
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
CGH09120F को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ २२०.६५
US$ २२०.६५
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
बाट सुरु गर्नुहोस्
Top