QPD1014SR

Mfr. #:: QPD1014SR
निर्माता:: Qorvo
विवरण:: RF JFET Transistors .03-1.2GHz 15W 50V GaN
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: QPD1014SR डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:: QPD1014SR थप जानकारी

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: कोर्भो

उत्पादन कोटि:: आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर

RoHS:: Y

ट्रान्जिस्टर प्रकार:: HEMT

प्रविधि:: GaN SiC

पाउनु:: 18.4 dB

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 50 V

Vgs - गेट-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 145 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 1 A

आउटपुट पावर:: 12.5 W

अधिकतम ड्रेन गेट भोल्टेज:: 55 V

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 40 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 85 C

Pd - शक्ति अपव्यय:: 15.8 W

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: DFN-8

प्याकेजिङ:: रील

सञ्चालन आवृत्ति:: 30 MHz to 1200 MHz

शृङ्खला:: QPD1014

ब्रान्ड:: कोर्भो

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:: -

विकास किट:: QPD1014EVB01

नमी संवेदनशील:: हो

उत्पादन प्रकार:: आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर

कारखाना प्याक मात्रा:: 100

उपश्रेणी:: ट्रान्जिस्टरहरू

भाग # उपनाम:: QPD1014

Tags: QPD101, QPD10, QPD1, QPD

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QPD1014SR थप जानकारी

QPD GaN RF Transistors: Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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उपलब्धता

स्टक:: 69
अर्डर मा:: 2052
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